Tematyka
i zagadnienia na egzamin
FIZYCZNE
PODSTAWY NANOELEKTRONIKI
Wykładowca:
prof. Bogdan Bułka
Wykład
1
Transport elektronowy w metalach i półprzewodnikach
- Struktura
elektronowa metali i półprzewodników
- Tworzenie
się pasma elektronowego w łańcuchu atomów
- Krzywa dyspersji dla swobodnych elektronów
- Tworzenie się pasma i przerw wzbronionych
- Struktura elektronowa Si i Ge
- Koncentracja nośników w półprzewodnikach i metalach
- Powierzchnia Fermiego
- Układy o różnych wymiarach: 3D, 2D, 1D i 0D
- Studnia potencjalna
- Struktura elektronowa Cu i powierzchnia Fermiego Cu
Wykład 2
Transport elektronowy w metalach i półprzewodnikach - Kontynuacja
wykładu nr 1
- Domieszkowanie półprzewodników
- Transport w metalach i półprzewodnikach - transport dysypatywny
- Teoria Boltzmanna
- Przewodnictwo metali
- Przewodnictwo półprzewodników
- Złącza i heterostruktury półprzewodnikowe
- Złącze p-n, dioda p-n
- Złącze metal-półprzewodnik, bariera Schottky'ego
- 2D gaz elektronowy
- Różne rodzaje złącz półprzewodnik-półprzewodnik
- Dioda Zenera i diody tunelowe (tunelowa nierezonansowa dioda
Esakiego)
Wykład
3
Tranzystory, półprzewodnikowe elementy optyczne
- Klasyfikacja tranzystorów
- Tranzystor bipolarny
- Tranzystor unipolarny i MOSFET
- Działanie tranzystora polowego
- Kilka przykładów elementów logicznych
- LED - film
- Ogniwa fotowoltaiczne - film
- Laser półprzewodnikowy - film
Wykład
4
Technologia wytwarzania układów scalonych CMOS
- Wytwarzanie podłoża krzemowego (metoda Czochralskiego)
- Budowanie warstwy izolatora
- Różne etapy fotolitografii
- Budowanie elektrody bramki
- Implantacja jonów
- Budowanie elektrod źródła i drenu
Wykład
5
Układy scalone i tranzystory w nanoskali
- Nieco historii
- Skala integracji
- Różne układy scalone i różne typy układów scalonych
- Co to jest CMOS?
- Skalowanie i miniaturyzacja
- Problemy skalowania
- Nowe rozwiązania wg. prognoz ITRS z 2003 r.
- Nowe CMOS:
- o ulepszonym transporcie
- udoskonalenia bramki
- SOI MOSFET
- wielobramkowe
- FinFET
- krzem na niczym FET
- FeFET
- tranzystor balistyczny
- i inne
Wykład
6
Niskowymiarowe metale
- Nieorganiczne metale 1D
- Organiczne metale, półprzewodniki i nadprzewodniki np. TTF-TCNQ,
(TMTSF)2PF6
- Polimery przewodzące
- Specyficzne zjawiska fizyczne w metalach 1D:
- przejście Peierlsa
- dimeryzacja
- mięknięcie fononów
- fala gęstości ładunku
- tranzystor CDW-FET
- solitony i polarony
- lokalizacja w 1D
Literatura:
A. Graja, Niskowymiarowe organiczne przewodniki, WNT, 1989
S. Roth, One-dimensional metals, VCH, 1995
Wykład
7
Kwantowy transport przez nanostruktury
- Tunelowanie przez barierę
- Tunelowa dioda rezonansowa
- Dioda tunelowa Esaki (rezonansowa)
- Pamięć TSRAM i układy logiczne MOBILE
Literatura:
D.K. Ferry, S.M. Goodnick, Transport in nanostructures,
Cambridge University Press, 1997
Wykład
8
Transport balistyczny, transport koherentny
- Transport dyfuzyjny
- Formuła Landauera dla balistycznego transportu
- Kwantowanie przewodności
- Efekty interferencyjne w nanostrukturach
- rezonans Fano
- miraż kwantowy
- efekt Aharonova-Bohma
Literatura:
D.K. Ferry, S.M. Goodnick, Transport in nanostructures,
Cambridge University Press, 1997
Wykład
9
Elektroniczne elementy z kwantowym transportem koherentnym
- Jeszcze
raz formuła Landauera - przypadek wielokanałowy
- Balistyczny tranzystor - szczegółowa analiza
- Falowody balistyczne
- Trój-elektrodowa dioda i tranzystor balistyczny
- Cztero-elektrodowy prostownik balistyczny
- Sprzężone falowody balistyczne
Wykład
10
Tranzystor jednoelektronowy
- Kropka kwantowa
- Jednoelektronowe pudło
- Jednoelektronowy tranzystor (SET)
- ortodoksyjna teoria tunelowania jednoelektronowego
- Cechy praktyczne SET
- Technologia krzemowa SET-CMOS
- Zastosowania SET:
- elektrometr
- pamięci i bramki logiczne
- głowica odczytu
- kwantowy automat komórkowy
- układy sprzężone ładunkowo
Literatura:
D.K. Ferry, S.M. Goodnick, Transport in nanostructures,
Cambridge University Press, 1997
Waser, Nanoelectronic and ..., rozdz. 16
K. Likharev, Proc. IEEE, vol. 87, pp. 606-632, April 1999
Y. Takahashi, et al., J. Phys. CM 14, R995 (2002)
Wykład
11
Molekularna elektronika
- Struktura elektronowa molekuł (nieco chemii)
- Samoorganizacja molekuł
- Miękka fotolitografia
- Techniki pomiarowe przepływu prądu przez pojedyncze molekuły:
- łamane złącze
- nanopory
- STM
- Wybrane projekty molekularnych elementów elektronicznych:
- druty
- przełączniki
- wahadłowiec
- QCA
- ...
Literatura:
Waser, Nanoelectronic and ..., rozdz. 16
Wykład
12
Nanorurki węglowe
- Struktura elektronowa grafitu, geometria nanorurek węglowych i
ich struktura elektronowa
- Morfologia nanorurek i ich wytwarzanie
- Przykłady elementów elektronicznych z nanorurek:
- tranzystor polowy
- zintegrowane układy (inwerter)
Literatura:
Waser, Nanoelectronic and ..., 2003
Internet: http://nanotube.msu.edu/